SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 0,9А, 0,27Вт, SC70
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
720 ֏
от 10 шт. —
392 ֏
от 100 шт. —
209 ֏
от 500 шт. —
166 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 720 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\Multi channel transistors
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 0,9А, 0,27Вт, SC70
Технические параметры
| Case | SC70 |
| Drain current | 0.9A |
| Drain-source voltage | 20V |
| Gate charge | 2nC |
| Gate-source voltage | ±12V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.235Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.27W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Вес, г | 0.05 |
