SI1012R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0,35А, 0,08Вт, SC75A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

489 ֏

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 25 шт. — 365 ֏

от 100 шт. — 285 ֏

от 500 шт. — 238 ֏

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 1 467 ֏

Номенклатурный номер: 8003175638

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0,35А, 0,08Вт, SC75A Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	600 mA
Pd - рассеивание мощности	175 mW
Qg - заряд затвора	750 pC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	700 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток	4.5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	450 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5 ns
Время спада	11 ns
Высота	0.8 mm
Длина	1.575 mm
Другие названия товара №	SI1012R-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	1 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI1
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	25 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	SC-75A-3
Ширина	0.76 mm
Вес, г	0.02