BC817-25-7-F, Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
![Фото 1/4 BC817-25-7-F, Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC021131569.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/731/DOC026731574.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
27 ֏
Мин. кол-во для заказа 9000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
9000 шт.
на сумму 243 000 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Maximum DC Collector Current | 800 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 310 mW |
Minimum DC Current Gain | 160 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Collector Emitter Voltage Max | 45В |
Continuous Collector Current | 500мА |
DC Current Gain hFE Min | 160hFE |
DC Усиление Тока hFE | 160hFE |
Power Dissipation | 310мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | BC817 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 100МГц |
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 700 mV |
Configuration: | Single |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 310 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | BC817 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 1 |