BC817-25-7-F, Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 1/4 BC817-25-7-F, Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
27 ֏
Мин. кол-во для заказа 9000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
9000 шт. на сумму 243 000 ֏
Номенклатурный номер: 8003190915
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Maximum DC Collector Current 800 mA
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 310 mW
Minimum DC Current Gain 160
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Collector Emitter Voltage Max 45В
Continuous Collector Current 500мА
DC Current Gain hFE Min 160hFE
DC Усиление Тока hFE 160hFE
Power Dissipation 310мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции BC817
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 100МГц
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 700 mV
Configuration: Single
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 310 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: BC817
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 370 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ