IRFD9120PBF, Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
392 ֏
Мин. кол-во для заказа 400 шт.
от 741 шт. —
378 ֏
от 2097 шт. —
365 ֏
Добавить в корзину 400 шт.
на сумму 156 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 100В 1A 1,3Вт 0,6Ом DIP4 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Base Product Number | IRFD9120 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 600mA, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
| RoHS | Подробности |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 20 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | -100 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 29 ns |
| Время спада | 29 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Конфигурация | Single Dual Drain |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Торговая марка | Vishay/Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | HexDIP-4 |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 25 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 0.71 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | DIP-4 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 1.3 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 600 mOhms |
| Rise Time: | 29 ns |
| Series: | IRFD |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 1 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Package Type | HVMDIP |
| Вес, г | 191.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1015 КБ
Datasheet IRFD9120PBF
pdf, 1015 КБ
irfd9120pbf
pdf, 1771 КБ
Документация
pdf, 2031 КБ
Datasheet IRFD9120, SiHFD9120
pdf, 1017 КБ
