IRFU9024PBF, Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
![Фото 1/4 IRFU9024PBF, Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK](https://static.chipdip.ru/lib/595/DOC044595419.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313996.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/341/DOC022341883.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC024330471.jpg)
320 ֏
Мин. кол-во для заказа 490 шт.
от 905 шт. —
312 ֏
Добавить в корзину 490 шт.
на сумму 156 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 60В 8,8A 42Вт 0,28Ом TO251AA Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8.8A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 5.3A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-251AA |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, г | 192 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1141 КБ
IRFU9024 Datasheet
pdf, 179 КБ
Документация
pdf, 1129 КБ
Datasheet IRFR9024, IRFU9024, SiHFR9024, SiHFU9024
pdf, 1238 КБ