IRFL110TRPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
![Фото 1/6 IRFL110TRPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288116.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/779/DOC015779971.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/501/DOC016501509.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/996/DOC034996111.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/087/DOC012087510.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/368/DOC022368740.jpg)
267 ֏
Кратность заказа 2500 шт.
от 5000 шт. —
254 ֏
от 7500 шт. —
236 ֏
Добавить в корзину 2500 шт.
на сумму 667 500 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 3.1Вт
Технические параметры
Крутизна характеристики S,А/В | 1.1 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 540 |
Температура, С | -55…+150 |
Brand: | Vishay Semiconductors |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 9.4 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-223-4 |
Part # Aliases: | IRFL110TRPBF-BE3 |
Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 8.3 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 540 mOhms |
Rise Time: | 16 ns |
Series: | IRFL |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6.9 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 540 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
Width | 3.7mm |
Вес, г | 192.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2017 КБ
Datasheet
pdf, 1496 КБ
Datasheet IRFL110, SiHFL110
pdf, 2015 КБ