IRL510PBF, Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
325 ֏
Мин. кол-во для заказа 480 шт.
от 902 шт. —
312 ֏
Добавить в корзину 480 шт.
на сумму 156 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 4А, 43Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.6 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 540@5V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.1(Max)@5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 250@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 43000 |
| Typical Fall Time (ns) | 18 |
| Typical Rise Time (ns) | 47 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 16 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.3 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 9.01(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Package Width | 4.7(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Qg - заряд затвора | 6.1 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 540 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 47 ns |
| Время спада | 18 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.9 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.3 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 540 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3.7 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220AB |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V |
| Width | 4.7mm |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.6A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Power Dissipation (Max) | 43W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 3.4A, 5V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Вес, г | 192.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1026 КБ
IRL510 Datasheet
pdf, 169 КБ
Документация
pdf, 1151 КБ
Datasheet IRL510
pdf, 255 КБ
