IRF644SPBF, Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 ֏
Мин. кол-во для заказа 190 шт.
от 357 шт. —
800 ֏
от 1009 шт. —
760 ֏
Добавить в корзину 190 шт.
на сумму 161 500 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 8,5А, 125Вт, D2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Qg - заряд затвора | 68 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 24 ns |
| Время спада | 49 ns |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.7 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 53 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 280 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Width | 9.65mm |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 14 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 280@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 250 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3100 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 49 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 68(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 68(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 24 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 53 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Вес, г | 192.6 |
