IRFI9530GPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
760 ֏
Мин. кол-во для заказа 220 шт.
от 395 шт. —
720 ֏
от 1117 шт. —
690 ֏
Добавить в корзину 220 шт.
на сумму 167 200 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор P-Chan 100V 7.7 Amp
Технические параметры
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.49 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRFI |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Base Product Number | IRFI9530 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 4.6A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.7 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Package Type | TO-220 FULLPAK |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Вес, г | 193.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 598 КБ
Datasheet IRFI9530GPBF
pdf, 551 КБ
Документация
pdf, 549 КБ
Datasheet IRFI9530G, SiHFI9530G
pdf, 549 КБ
