IRFP440PBF, Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 340 ֏
Кратность заказа 500 шт.
Добавить в корзину 500 шт.
на сумму 670 000 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 5,6А, 150Вт, TO247AC Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8.8A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 5.3A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 193.7 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1469 КБ
