IRFR320TRPBF, Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
![Фото 1/5 IRFR320TRPBF, Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC002921000.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514245.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179876.jpg)
294 ֏
Кратность заказа 2000 шт.
от 4000 шт. —
276 ֏
Добавить в корзину 2000 шт.
на сумму 588 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Полевой транзистор IRFR320PBF от известного производителя VISHAY представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Устройство выделяется током стока в 3,1 А и напряжением сток-исток, достигающим 400 В, что обеспечивает его универсальность в использовании. Мощность транзистора составляет 42 Вт, а благодаря корпусу TO252AA он обеспечивает надежность и долговечность в работе. Этот транзистор отлично подойдет для широкого спектра электронных применений, требующих эффективного управления мощностью. Приобретая IRFR320PBF, вы получаете надежный компонент, способный справиться с высокими нагрузками. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 3.1 |
Напряжение сток-исток, В | 400 |
Мощность, Вт | 42 |
Корпус | TO252AA |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3.1 A |
Pd - рассеивание мощности | 42 W |
Qg - заряд затвора | 20 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 14 ns |
Время спада | 13 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.7 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | IRFR/U |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 30 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Brand | Vishay Semiconductors |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Manufacturer | Vishay |
Packaging | Tube |
Product Category | MOSFET |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Unit Weight | 0.050717 oz |
Вес, г | 194.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 819 КБ
IRFR320 Datasheet
pdf, 177 КБ
Документация
pdf, 816 КБ
Datasheet IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320
pdf, 822 КБ