IRF630SPBF, Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 ֏
Мин. кол-во для заказа 250 шт.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 250 шт.
на сумму 167 500 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET D2-PA
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 74 W |
| Qg - заряд затвора | 43 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
| Вес, г | 194.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 173 КБ
