IRFU9310PBF, Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
423 ֏
Мин. кол-во для заказа 370 шт.
от 691 шт. —
405 ֏
от 1956 шт. —
392 ֏
Добавить в корзину 370 шт.
на сумму 156 510 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -400В, -1,1А, 50Вт, IPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 1.8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Qg - заряд затвора | 13 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 6.22 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Серия | IRFR/U |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Ширина | 2.39 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 7 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Width | 2.38mm |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.8A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-251AA |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1 |
