FMMT560TA, Trans GP BJT PNP 500V 0.15A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 1/5 FMMT560TA, Trans GP BJT PNP 500V 0.15A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт.106 ֏
3000 шт. на сумму 330 000 ֏
Номенклатурный номер: 8003208119
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 500В, 0,15А, 500мВт, SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 500V
Maximum DC Collector Current 150mA
Pd - Power Dissipation 500mW
Transistor Type PNP
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 500 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 500 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -150 mA
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 60 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 150 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: FMMT560
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Maximum Collector Base Voltage 500 V
Maximum Collector Emitter Voltage -500 V
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 60 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 500 mW
Minimum DC Current Gain 100
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вид PNP
Тип биполярный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 827 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 48 КБ