Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFI840GPBF, Trans MOSFET N-CH 500V 4.6A ...

IRFI840GPBF, Trans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 030 ֏

Мин. кол-во для заказа 160 шт.

от 804 шт. — 950 ֏

Добавить в корзину 160 шт. на сумму 164 800 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003210060

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2,9А, 40Вт, TO220FP Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	4.6 A
Pd - рассеивание мощности	40 W
Qg - заряд затвора	67 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	850 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	22 ns
Время спада	21 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	3.7 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	IRFI
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	55 ns
Типичное время задержки при включении	14 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Capacitance, Input	1300 pF &&64; 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	4.6 A
Gate Charge, Total	67 nC
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	40 W
Resistance, Drain to Source On	0.85 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to+150 °C
Time, Turn-Off Delay	55 ns
Time, Turn-On Delay	14 ns
Transconductance, Forward	3.7 S
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 67 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	500 V
Voltage, Diode Forward	2 V
Voltage, Drain to Source	500 V
Voltage, Forward, Diode	2 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Maximum Continuous Drain Current	4.6 A
Maximum Drain Source Resistance	850 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	40 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Вес, г	193.5