Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	PNP

Pd - рассеивание мощности	2 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.65 mm (Max)
Длина	6.7 mm (Max)
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25 at - 5 mA at - 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250 at - 150 mA at - 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	125 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	BCP53
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.7 mm (Max)
Base Product Number	BCP5316 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 2V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	150MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	2W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Transistor Type	PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Automotive	No
Configuration	Single Dual Collector
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Gull-wing
Material	Si
Maximum Collector Base Voltage (V)	100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.5 50mA 500mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	80
Maximum DC Collector Current (A)	1
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	2000
Maximum Transition Frequency (MHz)	150(Min)
Minimum DC Current Gain	25 5mA 2V\|40 150mA 2V\|25 500mA 2V\|100 150mA 2V
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	4
PPAP	No
Product Category	Bipolar Power
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-223
Supplier Temperature Grade	Automotive
Tab	Tab
Type	PNP
Brand	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO	-100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	-80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	-0.5 V
Continuous Collector Current	-1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min	25 at-5 mA, -2 V
DC Current Gain HFE Max	250 at-150 mA, -2 V
Emitter- Base Voltage VEBO	-5 V
Factory Pack Quantity	1000
Gain Bandwidth Product FT	125 MHz
Manufacturer	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current	-1 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Pd - Power Dissipation	2 W
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Series	BCP53
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	PNP
Maximum Collector Base Voltage	-100 V
Maximum Collector Emitter Voltage	-80 V
Maximum Emitter Base Voltage	-5 V
Maximum Operating Frequency	150 MHz
Maximum Power Dissipation	2 W
Package Type	SOT-223(SC-73)
Transistor Configuration	Single
Вес, г	1

BCP5316TA, Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Описание

Технические параметры

Техническая документация

ООО «ЧИП и ДИП»