BCP5616TC, Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 ֏
Кратность заказа 4000 шт.
от 8000 шт. —
49 ֏
4000 шт.
на сумму 212 000 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000 мВт 4-контактный (3 контакта) SOT-223 T / R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Configuration | Single Dual Collector |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Minimum DC Current Gain | 25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 4 |
| PPAP | No |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 377 КБ
