IRLML2060TRPBF, Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
![Фото 1/7 IRLML2060TRPBF, Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735666.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/152/DOC003152814.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086726.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/929/DOC013929846.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/883/DOC037883173.jpg)
110 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
106 ֏
от 24000 шт. —
92 ֏
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 330 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 1,2А, 1,25Вт, SOT23
Технические параметры
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 1,2 А |
Тип корпуса | SOT-23 |
Максимальное рассеяние мощности | 1,25 W |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 1.4мм |
Высота | 1.02мм |
Размеры | 3.04 x 1.4 x 1.02мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 3.04мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 4,9 нс |
Производитель | Infineon |
Типичное время задержки выключения | 3.7 ns |
Серия | HEXFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 480 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 0,67 нКл при 4,5 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 64 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -16 V, +16 V |
Крутизна характеристики S,А/В | 1.6 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2.5 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 640 |
Температура, С | -55…+150 |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.2 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 480 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | HEXFET |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT-23 |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Fall Time (ns) | 2.8 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.67 4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 64 25V |
Typical Rise Time (ns) | 3.8 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 3.7 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.9 |
Maximum Continuous Drain Current | 1.2 A |
Maximum Drain Source Resistance | 480 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Series | HEXFET |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.67 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRLML2060TRPBF
pdf, 231 КБ
Datasheet IRLML2060TRPBF
pdf, 199 КБ
Datasheet IRLML2060PBF
pdf, 204 КБ