CM450DX-24T#111G, IGBT модуль 450A 1200В T-серии
![Фото 1/3 CM450DX-24T#111G, IGBT модуль 450A 1200В T-серии](https://static.chipdip.ru/lib/639/DOC046639330.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/470/DOC021470046.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/433/DOC016433166.jpg)
67 600 ֏
от 2 шт. —
65 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 67 600 ֏
Описание
Силовые IGBTи SiC модули
The Mitsubishi Electric 1200V of dual IGBT module has flat base and six driver per module with low profile.
Технические параметры
Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
Channel Type | N |
Configuration | Dual |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 450 |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Mounting Type | PCB Mount |
Number of Transistors | 2 |
Package Type | Module |
Transistor Configuration | Dual Half Bridge |
Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1037 КБ
Datasheet CM450DX-24T#300G
pdf, 1336 КБ