BCP53TA, Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

58 ֏

Мин. кол-во для заказа 3000 шт.

Кратность заказа 1000 шт.

от 4000 шт. — 53 ֏

3000 шт. на сумму 174 000 ֏

Номенклатурный номер: 8003278601

Бренд: DIODES INC.

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики

Pd - рассеивание мощности	2000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	40
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	BCP53
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-223-4
Вес, г	1