MMIX1F132N50P3, Транзистор: N-MOSFET, Polar3™, полевой, 500В, 63А, Idm: 330А, 520Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
58 000 ֏
от 3 шт. —
49 300 ֏
от 10 шт. —
43 700 ֏
от 20 шт. —
38 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 58 000 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar3™, полевой, 500В, 63А, Idm: 330А, 520Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SMPD |
| Drain current | 63A |
| Drain-source voltage | 500V |
| Gate charge | 267nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 43mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 520W |
| Pulsed drain current | 330A |
| Reverse recovery time | 250ns |
| Technology | HiPerFET™, Polar3™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 8.17 |
