SSM6N815R,LF(T, Trans MOSFET N-CH Si 100V 2A T/R
27000 шт., срок 8-10 недель
165 ֏
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 6000 шт.
на сумму 990 000 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2A 6-Pin TSOP-F T/R
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 103@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1800 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| PCB changed | 6 |
| Pin Count | 6 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TSOP-F |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 3.1@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 290@15V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 438 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
