TK25A60X,S5X(M, Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5100 шт., срок 8-10 недель
2 340 ֏
Мин. кол-во для заказа 400 шт.
Кратность заказа 50 шт.
400 шт.
на сумму 936 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.7V |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 125 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220SIS |
| Pin Count | 3 |
| Series | DTMOSIV |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Width | 4.5mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TK25A60X,S5X
pdf, 236 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
