BAV21W-E3-08, Диод: импульсный
![Фото 1/3 BAV21W-E3-08, Диод: импульсный](https://static.chipdip.ru/lib/222/DOC004222674.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/287/DOC005287706.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/539/DOC021539225.jpg)
64 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
42 ֏
от 500 шт. —
35 ֏
от 3000 шт. —
26 ֏
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 1 280 ֏
Описание
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 250V 0.25A 50ns 2-Pin SOD-123 T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Material | Si |
Maximum Continuous Forward Current (A) | 0.25 |
Maximum DC Reverse Voltage (V) | 200 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 410 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Peak Forward Voltage (V) | 1.25 0.2A |
Peak Non-Repetitive Surge Current (A) | 1 |
Peak Reverse Current (uA) | 0.1 |
Peak Reverse Recovery Time (ns) | 50 |
Peak Reverse Repetitive Voltage (V) | 250 |
Pin Count | 2 |
PPAP | No |
Standard Package Name | SOD |
Supplier Package | SOD-123 |
Supplier Temperature Grade | Commercial |
Type | Small Signal Switching Diode |
Diode Configuration | Single |
Maximum Forward Current | 200mA |
Maximum Forward Voltage Drop | 1.25V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Reverse Voltage | 200V |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOD-123 |
Width | 1.7mm |
Average Forward Current | 200мА |
Forward Surge Current | 1А |
Forward Voltage Max | 1.25В |
Repetitive Peak Reverse Voltage | 250В |
Reverse Recovery Time | 50нс |
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Стиль Корпуса Диода | SOD-123 |
Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Diode Technology | Silicon Junction |
Вес, г | 0.03 |