PT480FE0000F, Phototransistor IR Chip 860nm 2-Pin
![Фото 1/5 PT480FE0000F, Phototransistor IR Chip 860nm 2-Pin](https://static.chipdip.ru/lib/799/DOC043799334.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/804/DOC005804633.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/641/DOC004641760.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/114/DOC024114721.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/199/DOC038199457.jpg)
10964 шт., срок 7-9 недель
227 ֏
Мин. кол-во для заказа 690 шт.
от 1724 шт. —
218 ֏
от 3900 шт. —
214 ֏
Добавить в корзину 690 шт.
на сумму 156 630 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductor - Discrete > Opto Discrete - LED > Phototransistor
Описание Фототранзистор, Разм: 3x4x2,95мм, -p макс: 860нм, 35В, 35°
Технические параметры
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | Side Looking |
Типичное Значение Длины Волны | 860нм |
Энергопотребление | 75мВт |
Angle of Half Sensitivity | 26 ° |
Collector Current | 20mA |
Maximum Dark Current | 100nA |
Maximum Light Current | 3000µA |
Maximum Wavelength Detected | 860nm |
Minimum Wavelength Detected | 860nm |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Channels | 1 |
Number of Pins | 2 |
Polarity | NPN |
Spectral Range of Sensitivity | Maximum of 860 nm |
Spectrums Detected | Infrared |
Typical Fall Time | 3.5µs |
Typical Rise Time | 3µs |
Width | 2.95mm |
Package Type | Side Looker |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 28 августа1 | бесплатно |
HayPost | 1 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг