FMMTA42TA, Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36 ֏
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
6000 шт.
на сумму 216 000 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор биполярный FMMTA42TA от DIODES INCORPORATED — надежный элемент для современных электронных схем. Этот NPN транзистор выполнен в компактном SMD-корпусе SOT23, обеспечивающем простоту монтажа на печатную плату. С током коллектора в 0,2 А и напряжением коллектор-эмиттер до 300 В, он идеально подходит для работы в высоковольтных устройствах. Мощность устройства составляет 0,33 Вт, что делает его эффективным выбором для различных применений. Используйте FMMTA42TA для надежной и долговечной работы ваших электронных проектов. Код товара FMMTA42TA станет вашим ключом к качественной электронике. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 0.2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 300 |
| Мощность, Вт | 0.33 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 300 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 300 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 200 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 25 |
| DC Current Gain hFE Max: | 25 at 1 mA, 10 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 50 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 310 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | FMMTA |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 300 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 300 V |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 330 mW |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 1 |
