FZT956TA, Trans GP BJT PNP 200V 2A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
Кратность заказа 1000 шт.
от 2000 шт. —
418 ֏
1000 шт.
на сумму 484 000 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 200В, 2А, 3Вт, SOT223 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 3 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm |
Длина | 6.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 220 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 275 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 110 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FZT956 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm |
Base Product Number | FZT956 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 110MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 3W |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 370mV @ 300mA, 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200V |
Collector Emitter Voltage Max | 200В |
Continuous Collector Current | 2А |
DC Current Gain hFE Min | 50hFE |
DC Усиление Тока hFE | 50hFE |
Power Dissipation | 3Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Частота Перехода ft | 110МГц |
Maximum Collector Base Voltage | 220 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -200 V |
Maximum DC Collector Current | -2 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 110 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 3 W |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223(SC-73) |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 229 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FZT956TA
pdf, 183 КБ
Datasheet FZT956TA
pdf, 457 КБ