MMST5551-7-F, Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36 ֏
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 18000 шт. —
32 ֏
6000 шт.
на сумму 216 000 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | MMST5551 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Base Product Number | MMST5551 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Power - Max | 200mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Maximum DC Collector Current | 200mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1 5mA 50mA|1 1mA 10mA |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 180 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2 5mA 50mA|0.15 1mA 10mA |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 160 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 300 |
| Minimum DC Current Gain | 30 50mA 5V|80 10mA 5V|80 1mA 5V |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Standard Package Name | SOT-323 |
| Supplier Package | SOT-323 |
| Type | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 180 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 160 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Package Type | SOT-323(SC-70) |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 184 КБ
Datasheet
pdf, 180 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MMST5551-7-F
pdf, 172 КБ
Datasheet MMST5551-7-F
pdf, 112 КБ
