FMMT591ATA, Trans GP BJT PNP 40V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
102 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
93 ֏
3000 шт.
на сумму 306 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор PNP, биполярный, 40В, 1А, 500мВт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3.05 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 1 mA, 5 V, 300 at 100 mA, 5 V, 250 at 500 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 1 mA, 5 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | FMMT59 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Base Product Number | FMMT591 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 100mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 500mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| Maximum Collector Base Voltage | 40 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -40 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
