MMDT5401-7-F, Trans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
62 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
58 ֏
3000 шт.
на сумму 186 000 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор: PNP x2, биполярный, 150В, 0,2А, 200мВт, SOT363 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Base Product Number | MMDT5401 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Power - Max | 200mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
| Pd - рассеивание мощности: | 200 mW |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Высота: | 1 mm |
| Длина: | 2.2 mm |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 60 |
| Конфигурация: | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 240 |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 0.2 A |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | - 160 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | - 150 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | - 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | - 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | - 0.2 A |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 300 MHz |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Серия: | MMDT54 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка: | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок: | SOT-363-6 |
| Ширина: | 1.35 mm |
| Вид | PNP |
| Тип | биполярный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MMDT5401-7-F
pdf, 367 КБ
Datasheet MMDT5401-7-F
pdf, 374 КБ
