IHW40N135R5XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Фото 1/2 IHW40N135R5XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 440 ֏
Мин. кол-во для заказа 45 шт.
от 134 шт.3 300 ֏
от 349 шт.3 120 ֏
45 шт. на сумму 154 800 ֏
Номенклатурный номер: 8003307917

Описание

Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 1350 V
Maximum Continuous Collector Current 80 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±25 V
Maximum Power Dissipation 394 W
Package Type PG-TO247-3
Pin Count 3
Channel Type N
Collector Current (DC) 80(A)
Configuration Single
Gate to Emitter Voltage (Max) ±20(V)
Mounting Through Hole
Operating Temperature (Max) 175C
Operating Temperature (Min) -40C
Operating Temperature Classification AUTOMOTIVEC
Packaging Rail/Tube
Rad Hardened No
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 1.35кВ
Continuous Collector Current 80А
Power Dissipation 394Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IHW40N135R5XKSA1
pdf, 1767 КБ
Datasheet IHW40N135R5XKSA1
pdf, 1829 КБ
Документация
pdf, 1842 КБ