IHW40N135R5XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
![Фото 1/2 IHW40N135R5XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/974/DOC029974986.jpg)
3 440 ֏
Мин. кол-во для заказа 45 шт.
от 134 шт. —
3 300 ֏
от 349 шт. —
3 120 ֏
45 шт.
на сумму 154 800 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1350 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±25 V |
Maximum Power Dissipation | 394 W |
Package Type | PG-TO247-3 |
Pin Count | 3 |
Channel Type | N |
Collector Current (DC) | 80(A) |
Configuration | Single |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Through Hole |
Operating Temperature (Max) | 175C |
Operating Temperature (Min) | -40C |
Operating Temperature Classification | AUTOMOTIVEC |
Packaging | Rail/Tube |
Rad Hardened | No |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.35кВ |
Continuous Collector Current | 80А |
Power Dissipation | 394Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IHW40N135R5XKSA1
pdf, 1767 КБ
Datasheet IHW40N135R5XKSA1
pdf, 1829 КБ
Документация
pdf, 1842 КБ