SGP07N120XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16.5A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 320 ֏
Мин. кол-во для заказа 70 шт.
от 194 шт. —
2 230 ֏
Добавить в корзину 70 шт.
на сумму 162 400 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Описание Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 16,5А, 125Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 1200 |
| Maximum Continuous Collector Current - (A) | 16.5 |
| Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 125000 |
| Military | No |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Вес, г | 1 |
