IRFI820GPBF, Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
![Фото 1/3 IRFI820GPBF, Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP](https://static.chipdip.ru/lib/828/DOC043828082.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/168/DOC004168096.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436575.jpg)
630 ֏
Мин. кол-во для заказа 1000 шт.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 630 000 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 1,3А, 30Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Power MOSFET |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.1 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3000@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 24(Max)@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 24(Max) |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 360@25V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
Typical Fall Time (ns) | 16 |
Typical Rise Time (ns) | 8.6 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 33 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | TO-220FP |
Standard Package Name | TO-220 |
Military | No |
Mounting | Through Hole |
Package Height | 16.12(Max) |
Package Length | 10.63(Max) |
Package Width | 4.83(Max) |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Through Hole |
Вес, г | 2 |