IRFR014PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
![Фото 1/3 IRFR014PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757631.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/550/DOC002550229.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514245.jpg)
338 ֏
Мин. кол-во для заказа 460 шт.
от 862 шт. —
325 ֏
от 2440 шт. —
316 ֏
Добавить в корзину 460 шт.
на сумму 155 480 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 4,9А, 25Вт, DPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.10.00.80 |
Product Category | Power MOSFET |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.7 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum IDSS (uA) | 25 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 200@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11(Max)@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11(Max) |
Typical Gate to Drain Charge (nC) | 5.8(Max) |
Typical Gate to Source Charge (nC) | 3.1(Max) |
Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 200 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 300@25V |
Typical Output Capacitance (pF) | 160 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
Typical Fall Time (ns) | 19 |
Typical Rise Time (ns) | 50 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | DPAK |
Standard Package Name | TO-252 |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 2.39(Max) |
Package Length | 6.73(Max) |
Package Width | 6.22(Max) |
PCB changed | 2 |
Tab | Tab |
Id - непрерывный ток утечки | 7.7 A |
Pd - рассеивание мощности | 25 W |
Qg - заряд затвора | 11 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 2.38 mm |
Длина | 6.73 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | IRFR/U |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Вес, кг | 21.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 884 КБ