IRF830APBF, Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

489 ֏

Мин. кол-во для заказа 330 шт.

от 1738 шт. — 440 ֏

Добавить в корзину 330 шт. на сумму 161 370 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003314274

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

The Vishay power MOSFET has low gate charge Qg results in simple drive requirement and it has improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness.

Крутизна характеристики S,А/В	2.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	1400
Температура, С	-55…+150
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	5 A
Maximum Drain Source Resistance	1.4 Ω
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	74 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	24 nC @ 10 V
Width	4.7mm
Brand	Vishay Semiconductors
Factory Pack Quantity	50
Height	15.49 mm
Length	10.41 mm
Manufacturer	Vishay
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Product Category	MOSFET
RoHS	Details
Technology	Si
Unit Weight	0.211644 oz
Вес, кг	21.3