CSD85301Q2T, Power MOSFET 6-Pin WSON EP T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

640 ֏

Мин. кол-во для заказа 500 шт.

Кратность заказа 250 шт.

Добавить в корзину 500 шт. на сумму 320 000 ֏

Номенклатурный номер: 8003329365

Semiconductor - IC > Power Management > Specialized Power ICs and Modules

МОП-транзистор Dual N-Channel NexFET Pwr МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	5 A
Pd - рассеивание мощности	2.3 W
Qg - заряд затвора	5.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	27 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	600 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	26 ns
Время спада	15 ns
Высота	0.75 mm
Длина	2 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	NexFET
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	250
Серия	CSD85301Q2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	14 ns
Типичное время задержки при включении	6 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка / блок	WSON-FET-6
Ширина	2 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	5 V
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	WSON
Вес, г	0.06