ZX5T851GTA, Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
![Фото 1/5 ZX5T851GTA, Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R](https://static.chipdip.ru/lib/640/DOC021640648.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/132/DOC041132377.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514427.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/609/DOC007609938.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
344 ֏
Кратность заказа 1000 шт.
от 2000 шт. —
322 ֏
1000 шт.
на сумму 344 000 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 3000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm (Max) |
Длина | 6.7 mm (Max) |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | ZX5T851 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm (Max) |
Base Product Number | ZX5T851 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 130MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 3W |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 260mV @ 300mA, 6A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Maximum DC Collector Current | 6A |
Pd - Power Dissipation | 3W |
Maximum Collector Base Voltage | 150 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
Maximum Operating Frequency | 130 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 12.8 W |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223 |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Configuration | Single |
Collector Current (Ic) | 6A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 20nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 210mV@6A, 300mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@2A, 1V |
Power Dissipation (Pd) | 3W |
Transition Frequency (fT) | 130MHz |
Case | SOT223 |
Collector current | 6A |
Collector-emitter voltage | 60V |
Current gain | 100…300 |
Frequency | 130MHz |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
Mounting | SMD |
Polarisation | bipolar |
Power dissipation | 1.2W |
Type of transistor | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet ZX5T851GTA
pdf, 250 КБ
Datasheet ZX5T851GTA
pdf, 486 КБ
Datasheet ZX5T851GTA
pdf, 439 КБ