FF450R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
82 000 ֏
от 2 шт. —
77 300 ֏
от 3 шт. —
75 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 82 000 ֏
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А
Технические параметры
| Корпус | AG-62MMHB | |
| Automotive | Unknown | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Dual | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 | |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 580 | |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2400 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 | |
| Mounting | Screw | |
| Packaging | Tray | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 7 | |
| Pin Count | 7 | |
| PPAP | Unknown | |
| Supplier Package | 62MM-1 | |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.75 | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Continuous Collector Current | 580 A | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 2.4 kW | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Mounting Type | Panel Mount | |
| Package Type | 62MM Module | |
| Transistor Configuration | Series | |
| Вес, г | 365 |
