ZXTC2062E6TA, TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
352 ֏
от 500 шт. —
320 ֏
2 шт.
на сумму 1 160 ֏
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V, 25 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 140 mV, 190 mV |
| Configuration: | Dual |
| DC Current Gain hFE Max: | 300 at 10 mA, 2 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 215 MHz, 290 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A, 3.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-26-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.7 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | ZXTC2062 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN, PNP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet ZXTC2062E6TA
pdf, 256 КБ
