MMBTRC109SS, TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
1900 шт., срок 8-10 недель
27 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
23 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 350 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | - |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | - |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Transistor Type | - |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MMBTRC109SS
pdf, 149 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
