MJD32C-13, TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 ֏
Кратность заказа 2500 шт.
2500 шт.
на сумму 375 000 ֏
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.2 V |
Configuration: | Single |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gain Bandwidth Product fT: | 3 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 3 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MJD32C-13
pdf, 367 КБ