SI4835DDY-T1-GE3, 30V 13A 18m ё@10V,10A 3V@250uA P Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 500 шт. —
800 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 4 250 ֏
Описание
• P-channel 30V (D-S) MOSFET
• TrenchFET® power MOSFET
• 100% Rg and UIS tested
• Applicable for load switches, notebook PCs and desktop PCs
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.014Ом |
Power Dissipation | 2.5Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 8.7А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.014Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 171 КБ