MMBTRC104SS, 80@10mA,5V 200mW 1 NPN - Pre Biased TO-236-3 Digital Transistors ROHS
1600 шт., срок 8-10 недель
27 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
23 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 350 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
80@10mA,5V 1 NPN - Pre Biased 200mW TO-236-3 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 674 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
