MMBT9014D, 45V 200mW 420@1mA,5V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
2450 шт., срок 8-10 недель
18 ֏
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
14 ֏
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 1 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
45V 200mW 420@1mA,5V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 420@1mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MMBT9014D
pdf, 665 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
