CSD19533Q5A, MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
![CSD19533Q5A, MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON](https://static.chipdip.ru/lib/214/DOC027214401.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 060 ֏
от 10 шт. —
880 ֏
от 100 шт. —
680 ֏
от 500 шт. —
590 ֏
1 шт.
на сумму 1 060 ֏
Описание
Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Технические параметры
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 5 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | VSONP-8 |
Pd - Power Dissipation: | 96 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 27 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.4 mOhms |
Rise Time: | 6 ns |
Series: | CSD19533Q5A |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | NexFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Continuous Drain Current (Id) | 100A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 9.4mΩ@10V, 13A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.4V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.67nF@50V |
Power Dissipation (Pd) | 3.2W;96W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 35nC@10V |
Type | 1PCSNChannel |
Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Документация
pdf, 767 КБ