BC847C-7-F, TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
![Фото 1/5 BC847C-7-F, TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735678.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC004458815.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC035307736.jpg)
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
36 ֏
от 500 шт. —
29 ֏
30 шт.
на сумму 1 200 ֏
Описание
Описание Транзистор биполярный BC847C-7-F от производителя DIODES INCORPORATED представляет собой высококачественный NPN компонент, выполненный в технологии SMD для монтажа на поверхность. Данный транзистор характеризуется током коллектора до 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 45 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность устройства составляет 0,31 Вт, позволяя использовать его в различных электронных схемах. Компактный корпус SOT23 обеспечивает минималистичное размещение на плате и оптимальное рассеивание тепла. Продукт BC847C7F идеально подходит для поверхностного монтажа в современных высокотехнологичных устройствах. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Монтаж | SMD |
Ток коллектора, А | 0.1 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 45 |
Мощность, Вт | 0.31 |
Корпус | SOT23 |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3.05 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 at 2 mA, 5 V |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BC847C |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.4 mm |
Base Product Number | BC847 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 300MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 300mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Minimum DC Current Gain | 420 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |