BCX55TA, TRANS NPN 60V 1A SOT89-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
128 ֏
от 500 шт. —
119 ֏
10 шт.
на сумму 1 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 500 mV |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 25 at 5 mA, 2 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 150 MHz |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-89-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 1000 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | BCX55 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.6 mm |
| Длина | 4.6 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 5 mA, 2 V |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | BCX55 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.6 mm |
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Type | NPN |
| Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Minimum DC Current Gain | 25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Automotive | No |
| Standard Package Name | SOT |
| Pin Count | 4 |
| Supplier Package | SOT-89 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 1.5 |
| Package Length | 4.5 |
| Package Width | 2.5 |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-89 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 377 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BCX55TA
pdf, 140 КБ
Datasheet BCX55TA
pdf, 369 КБ
