DSS4160T-7, TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
![Фото 1/3 DSS4160T-7, TRANS NPN 60V 1A SOT23-3](https://static.chipdip.ru/lib/792/DOC012792584.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/161/DOC004161369.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
159 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
124 ֏
от 500 шт. —
93 ֏
10 шт.
на сумму 1 590 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transisto SOT23 T&R 3K
Технические параметры
Brand | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 280 mV |
Configuration | Single |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product FT | 150 MHz |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current | 2 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | DSS41 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 280 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DSS41 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Automotive | No |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1 50mA 1A |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.15 50mA 500mA|0.28 100mA 1A|0.115 1mA 100mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 725 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
Minimum DC Current Gain | 250 1mA 5V|100 1A 5V|200 500mA 5V |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Standard Package Name | SOT-23 |
Supplier Package | SOT-23 |
Type | NPN |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet DSS4160T-7
pdf, 314 КБ
Datasheet DSS4160T-7
pdf, 181 КБ