SI2343CDS-T1-GE3, 30V 5.9A 45m ё@10V,4.2A 2.5V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
![Фото 1/4 SI2343CDS-T1-GE3, 30V 5.9A 45m ё@10V,4.2A 2.5V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/792/DOC012792584.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC021131568.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/639/DOC021639855.jpg)
196 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
160 ֏
от 150 шт. —
147 ֏
от 500 шт. —
107 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 980 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
The SI2343CDS-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, notebook adaptor switch and DC-to-DC converter applications.
• 100% Rg tested
• -55 to 150°C Operating temperature range
• Halogen-free
Технические параметры
Brand | Vishay/Siliconix |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 8 ns |
Forward Transconductance - Min | 10 S |
Id - Continuous Drain Current | 5.9 A |
Manufacturer | Vishay |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number Of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Part # Aliases | SI2343CDS-GE3 |
Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 21 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 45 mOhms |
Rise Time | 10 ns |
Series | SI2 |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Tradename | TrenchFET |
Transistor Polarity | P-Channel |
Transistor Type | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 18 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.037Ом |
Power Dissipation | 2.5Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 5.9А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.037Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Maximum Continuous Drain Current | 4.7 A |
Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 13.6 nC 10 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 102 КБ
Datasheet SI2343CDS-T1-GE3
pdf, 108 КБ
Datasheet SI2343CDS-T1-GE3
pdf, 107 КБ