MMBTSC945P(CR), 50V 200mW 200@1mA,6V 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
1850 шт., срок 8-10 недель
23 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
18 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 150 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
50V 200mW 200@1mA,6V 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@1mA, 6V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MMBTSC945P(CR)
pdf, 130 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
